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技術資源
探索富奕科技最新的技術簡報、應用洞察，以及功率半導體相關技術資源。
650 V SiC MOSFET 與 650 V 矽基超接面 MOSFET 比較
本技術簡報針對相同 190 mΩ RDS(on) 與 12 V 閘極驅動條件下的 650 V SiC MOSFET 與矽基超接面 MOSFET 進行比較，內容涵蓋切換性能、熱特性、功率損耗、系統層級影響及元件成本。
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650 V SiC MOSFET 與 650 V 矽基超接面 MOSFET 比較
本技術簡報針對相同 190 mΩ RDS(on) 與 12 V 閘極驅動條件下的 650 V SiC MOSFET 與矽基超接面 MOSFET 進行比較，內容涵蓋切換性能、熱特性、功率損耗、系統層級影響及元件成本。